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IXFK360N10T
IXFX360N10T
200
180
Fig. 7. Input Admittance
350
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
300
160
140
250
25oC
120
100
80
60
T J = 150oC
25oC
- 40oC
200
150
100
150oC
40
20
0
50
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
320
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
280
240
200
160
120
T J = 150oC
9
8
7
6
5
4
3
V DS = 50V
I D = 180A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 25oC
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
100.0
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10.0
100
External Lead Limit
1.0
Coss
10
1ms
f = 1 MHz
Crss
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0.1
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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